个人简历
姓名 | 柴晓杰 | 性别 | 男 |
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学历 | 博士研究生 | 学位 | 博士 | ||
出生年月 | 1989.08.01 | 政治面貌 | 群众 | ||
职称 | 讲师 | 职务 | 无 | ||
硕导 | 否 | 博导 | 否 | ||
邮箱 | chaixiaojie@tyut.edu.cn | 招生专业 | 电子科学与技术 | ||
研究方向 | 神经形态忆阻器、触觉传感器 | ||||
研究生指导 | 无 | ||||
学习与工作经历 | 【学习经历】 2017.09—2021.06 博士研究生 复旦大学 微电子与固体电子学 2013.09—2016.04 硕士研究生 西北工业大学 材料工程 2008.09—2012.07 大学本科 山西大同大学 物理学 【工作经历】 2021.10— 至今 太原理工大学信息与计算机学院 讲师 | ||||
主讲课程 | 无 | ||||
主要科研项目及成果 | 1. 深圳华为2012研究院，YBN2020065115，新型高性能铁电导电畴壁晶体管， 2020/08-2022/8，200万元，在研，参与 2. 复旦大学卓越博士生科研促进计划资助项目，SSH6281011/001，基于畴壁电流的多功能铁电器件的研究，2019/05-2020/5，1万元，结题，主持 3. 深圳华为海思研究部，YBN2019075075，新型 Domain-Wall 类 LN-FRAM 技术合作项目，2019/08-2020/2，300万元，结题，参与 4. 上海市科技人才计划项目，17JC1400301，下一代高性能通用铁电存储器，2017/09-2020/11，1000万元，结题，参与 | ||||
论文、著作、专利 | 【论文】 [1] Xiaojie Chai, Jun Jiang, Qinghua Zhang, Xu Hou, Fanqi Meng, Jie Wang, Lin Gu, David Wei Zhang, An Quan Jiang*. Nonvolatile ferroelectric field-effect transistors, Nature communications，2020, 11(1): 1-9. [2] Xiaojie Chai, Jianwei Lian, Chao Wang, Xiaobing Hu, Jie Sun, Jun Jiang, Anquan Jiang*. Conductions through head-to-head and tail-to-tail domain walls in LiNbO3 nanodevices. Journal of Alloys and Compounds, 2021, 873: 159837. [3] Xiaojie Chai, Hui Xing, Kexin Jin*. Evolution of photoinduced effects in phase-separated Sm0.5Sr0.5Mn1-yCryO3 thin films. Scientific reports, 2016, 6(1): 1-7. [4] Anquan Jiang , Wenping Geng, Peng Lv, Jiawang Hong , Jun Jiang, Chao Wang, Xiaojie Chai, Jianwei Lian, Yan Zhang, Rong Huang, David Wei Zhang, James F. Scott, Cheol Seong Hwang*. Ferroelectric domain wall memory with embedded selector realized in LiNbO3 single crystals integrated on Si wafers. Nature Materials, 2020, 19(11): 1188-1194. [5] Jianwei Lian, Xiaojie Chai, Chao Wang, Xiaobing Hu, Jun Jiang*, An Quan Jiang . Sub 20 nm-Node LiNbO3 Domain-Wall Memory. Advanced Materials Technologies, 2021: 2001219. [6] Jun Jiang, Xiaojie Chai, Chao Wang, Anquan Jiang*. High temperature ferroelectric domain wall memory. Journal of Alloys and Compounds, 2021, 856: 158155. [7] Chao Wang, Jun Jiang, Xiaojie Chai, Jianwei Lian, Xiaobing Hu, and An Quan Jiang*. Energy-efficient ferroelectric domain wall memory with controlled domain switching dynamics. ACS Applied Materials & Interfaces, 2020, 12(40): 44998-45004. [8] Jun Jiang, Chao Wang, Xiaojie Chai, Qinghua Zhang, Xu Hou, Fanqi Meng, Lin Gu, Jie Wang, and An Quan Jiang*. Surface-Bound Domain Penetration and Large Wall Current. Advanced Electronic Materials, 2021, 7(3): 2000720. [9] Jianwei Lian, Jiajia Tao, Xiaojie Chai, Yan Zhang, Anquan Jiang*. Effects of atmosphere, metal films, temperatures and holding time on the surface topography and electrical conductivity of LiNbO3 single crystals. Ceramics International, 2019, 45(8): 9736-9753. [10] Yan Zhang, Qinghua Ren, Xiaojie Chai, Jun Jiang, Jianguo Yang, Anquan Jiang*. Improved Ferroelectric Performance of Mg-Doped LiNbO3 Films by an Ideal Atomic Layer Deposited Al2O3 Tunnel Switch Layer. Nanoscale research letters, 2019, 14(1): 1-8. 【专利】 [1] Anquan Jiang, Xiaojie Chai, Yan Zhang, THREE-DIMENSIONAL NON–VOLATILE FERROELECTRIC MEMORY, 2021.4-2038.12, 美国, 授权号：US10971204 B2 [2] 江安全，柴晓杰，张岩。一种低功耗三维非易失性存储器及其制备方法。授权号：CN109378313 B。 [3] 江安全，柴晓杰，江钧，连建伟，敖孟寒，一种非易失性铁电存储器及其制备方法。授权号：CN112310214 B。 [4] 江安全，柴晓杰，胡校兵，江钧，连建伟，蒋旭。一种可擦除全铁电场效应晶体管及其操作方法。授权号：CN110491943B。 [5] 江安全，柴晓杰，汪超，江钧，张焱。一种集存算一体的全铁电场效应管。授权号：CN110534573B。 | ||||
学术兼职 | 无 | ||||
个人荣誉 | 上海市优秀毕业生、复旦大学优秀博士毕业论文、博士国家奖学金。 | ||||
